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产品介绍: 高频光电导少数载流子寿命测试仪是按照半导体设备和材料（F28-75）及GB/T1553的要求，采用高频光电导衰减测量方法，适用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，硅单晶寿命测量ρ≥2Ω·cm。 规格参数 测试范围：5-10000μs； 电阻率范围：ρ≥2Ω·cm 参杂硅单晶片（厚度小于1mm），电阻率范围：ρ＞0.1Ω·cm 重复性误差：≤±20% 光脉冲发生装置 重复频率：＞20~30次/s 光脉冲关断时间：0.2-1μs，余辉＜1μs 红外光源波长：1.06-1.09μm（测量硅单晶），红外光在硅单晶内穿透深大于500μm如测量锗单晶寿命需配置适当波长的光源 脉冲电源：5A-20A 高频振荡源 石英谐振器频率：30MHz 输出功率：＞1W 放大器、检波器 放大倍数：25倍 频宽范围：2Hz-2MHz 光源电极台：可测纵向放置的单晶、竖放单晶横载面的寿命 可测单晶尺寸： 断面竖测：直径25-150，厚2mm-500mm 纵向卧测：直径5mm-150mm，长50mm-800mm 读数方式：可选配测试软件或数字示波器读数 测试软件：具有自动保存数据及测试点衰减波形，可进行查询历史数据和导出历史数据等操作。
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